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深圳市智成電子有限公司介紹國巨官網(wǎng)-國巨推出X6S材質(zhì)貼片電容常用參數(shù)介紹

國巨官網(wǎng)-國巨推出X6S材質(zhì)貼片電容的開發(fā)背景是適用于工業(yè)應(yīng)用的高容值、小尺寸的X6S MLCC。

國巨官網(wǎng)最新消息全球被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨電容集團，最近將CCX6S系列MLCC貼片電容拓展到更小尺寸-0201(0.6*0.3mm)，容值為1μF及額定電流6.3V。新產(chǎn)品組合規(guī)格為0201到1210，最大容值47μF、較大額定電流50V。規(guī)格拓展后能滿足更多元化的運用，尤其是在伺服器層面的應(yīng)用。

先進的電子產(chǎn)品一般具有多用途，因此抑止各種電子信號所形成的雜訊或干擾信號變成一個重要的話題。而高容MLCC貼片電容可用來減少雜訊以維持操作系統(tǒng)的穩(wěn)定性，深圳智成電子舉例說明：當更多系統(tǒng)數(shù)位化以后，將配置大量CPU，而采用高電容MLCC貼片電容可作為去耦電容器，以減少高速CPU產(chǎn)生的雜訊。

高容MLCC貼片電容運用的一個明顯的例子就是伺服器，高級伺服器的特色就是配置強悍的運算能力及其搭載巨大的儲存空間，能夠在短期內(nèi)解決大量輸入／導(dǎo)出流量、存檔、儲存等動作，同時可以服務(wù)大量顧客。深圳智成電子告訴你這種高速數(shù)據(jù)傳輸產(chǎn)生的雜訊就需要配置高容MLCC貼片電容來抑止，工業(yè)級的伺服器除了維護期內(nèi)外一般是不間斷的運行，因此高容MLCC貼片電容的應(yīng)用就相形關(guān)鍵，可保持高溫下運行并維持系統(tǒng)穩(wěn)定性。

X5R屬第二類電介質(zhì)，可運用在85°C的環(huán)境里，是高電容運用中最常見的材料。但是當設(shè)備的工作溫度上升或長期持續(xù)運行中，X5RMLCC貼片電容可能不能滿足高穩(wěn)定性及穩(wěn)定性的需要，因此X6S會是更好的解決方案，可確保在105°C的環(huán)境里運行優(yōu)良。

國巨X6S材質(zhì)及工藝均采用優(yōu)質(zhì)的設(shè)計，可達到比X7R更高的電容值、比X5R具備更好的可靠效率，深圳智成電子能提供顧客更廣泛的選擇與解決方法，以適應(yīng)各種應(yīng)用需求。

國巨官網(wǎng)-國巨推出X6S材質(zhì)貼片電容的常用封裝和材質(zhì)

國巨致力于提供各式通用型陶瓷電容，以滿足電子設(shè)備的所有要求。無磁性、可靠且通過IEC60068認證; 鑒于環(huán)境保護責(zé)任，國巨的電容產(chǎn)品符合RoHS和無鹵素標準。通用型陶瓷電容包含CC NPO, CC X7R, CC X6S, CCX5R, CC Y5V, CC MV, CC HV 及 CC 01005 系列。

國巨官網(wǎng)-國巨推出X6S材質(zhì)貼片電容的優(yōu)點

1.Class II

2.可在高達105°C的溫度下運作

3.高可靠性、無極性

4.符合RoHS規(guī)范且無鹵素

國巨官網(wǎng)-國巨推出X6S材質(zhì)貼片電容的常用容值和電壓

國巨官網(wǎng)最新產(chǎn)品相關(guān)資料介紹，國巨推出具備抗?jié)窨沽蛱匦灾呔芏鹊谋∧る娮?– RP系列

全球被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商-國巨集團，推出新款薄膜車用晶片電阻-RP系列，具備抗?jié)瘛⒖沽颉⒏呔芏取⒏叻€(wěn)定性的特性，外殼尺寸從0402到1206，電阻范圍為10Ω-1.5MΩ，具有±0.1％、±0.25％、±0.5％及±1 ％的窄容差和±25、±50 ppm /°C的低溫度特性(TCR)，額定功率值為1/16 W-1/4 W。 ?

RP系列特殊的鈍化層設(shè)計，將中間介質(zhì)形成不透濕的介面使其包覆性的覆蓋電阻，因此水氣不易從外部滲入。多了鈍化層的保護，使得RP系列能在嚴苛的環(huán)境始終保持電阻的高穩(wěn)定性，適用于車用電子、電信通訊、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備、測試和量測設(shè)備及電源供應(yīng)系統(tǒng)。

國巨推出具備抗?jié)窨沽蛱匦灾呔芏鹊谋∧る娮?– RP系列特色及可靠性測試標準

• 符合AEC-Q200車用標準
• 優(yōu)異地抵抗含硫與高濕度環(huán)境
• 高精度和穩(wěn)定性
• 低溫度特性(TCR)及低電噪聲
• 高／低溫循環(huán)試驗: ΔR/R ±0.1%
• 抗硫化試驗(105°C, 750小時硫化測試環(huán)境): ΔR/R ±2%
• 壽命／耐久度試驗(70°C)：ΔR/R ±0.1%
• 高溫高濕試驗 (85°C/85% RH): ΔR/R ±0.1%

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